HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比

HBM（高带宽存储）是一种多层DRAM Die垂直堆叠的存储技术，通过TSV技术实现高带宽和小体积。

HBM即高带宽存储，由多层DRAM Die垂直堆叠，每层Die通过TSV穿透硅通孔技术实现与逻辑Die连接，使得8层、12层Die封装于小体积空间中，从而实现小尺寸于高带宽、高传输速度的兼容，成为高性能AI服务器GPU显存的主流解决方案。

目前迭代至HBM3的扩展版本HBM3E，提供高达8Gbps的传输速度和16GB内存，由SK海力士率先发布，将于2024年量。

HBM主要应用场景为AI服务器，最新一代HBM3e搭载于英伟达2023年发布的H200。根据Trendforce数据，2022年AI服务器出货量86万台，预计2026年AI服务器出货量将超过200万台，年复合增速29%。

AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发，且伴随服务器平均HBM容量增加，经测算，预期25年市场规模约150亿美元，增速超过50%。

HBM供给厂商主要聚集在SK海力士、三星、美光三大存储原厂，根据Trendforce数据，2023年SK海力士市占率预计为53%，三星市占率38%、美光市占率9%。HBM在工艺上的变化主要在CoWoS和TSV。

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比

HBM1最早于2014年由AMD与SK海力士共同推出，作为GDDR竞品，为4层die堆叠，提供128GB/s带宽，4GB内存，显著优于同期GDDR5。

HBM2于2016年发布，2018年正式推出，为4层DRAMdie，现在多为8层die，提供256GB/s带宽，2.4Gbps传输速度，和8GB内存；HBM2E于2018年发布，于2020年正式提出，在传输速度和内存等方面均有较大提升，提供3.6Gbps传输速度，和16GB内存。HBM3于2020年发布，2022年正式推出，堆叠层数及管理通道数均有增加，提供6.4Gbps传输速度，传输速度最高可达819GB/s，和16GB内存HBM3E由SK海力士发布HBM3的增强版，提供高达8Gbps的传输速度，24GB容量，计划于2024年大规模量产。

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比

HBM因其高带宽、低功耗、小体积等特性，广泛应用于AI服务器场景中。HBM的应用主要集中在高性能服务器，最早落地于2016年的NVP100GPU（HBM2）中，后于2017年应用在V100（HBM2）、于2020年应用在A100（HBM2）、于2022年应用在H100（HBM2e/HBM3），最新一代HBM3e搭载于英伟达2023年发布的H200，为服务器提供更快速度及更高容量。

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比

HBM供给厂商主要聚集在SK海力士、三星、美光三大厂，SK海力士领跑。三大存储原厂主要承担DRAMDie的生产及堆叠，展开技术升级竞赛，其中SK海力士与AMD合作发布全球首款HBM，23年率先供应新一代HBM3E，先发奠定市场地位，主要供应英伟达，三星供应其他云端厂商，根据TrendForce数据，2022年SK海力士市占率50%、三星市占率40%、美光市占率10%左右，2023年SK海力士市占率预计为53%，三星市占率38%、美光市占率9%。

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比

HBM在封装工艺上的变化主要在CoWoS和TSV。

1）CoWoS：是将DRAMDie一同放在硅中介层上，通过过ChiponWafer（CoW）的封装制程连接至底层基板上，即将芯片通过ChiponWafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆，再把CoW芯片与基板连接，整合成CoWoS。当前，HBM与GPU集成的主流解决方案为台积电的CoWoS，通过缩短互连长度实现更高速的数据传输，已广泛应用于A100、GH200等算力芯片中。

2）TSV：TSV硅通孔是实现容量和带宽扩展的核心，通过在整个硅晶圆厚度上打孔，在芯片正面和背面之间形成数千个垂直互连。在HBM中多层DRAMdie堆叠，通过硅通孔和焊接凸点连接，且只有最底部的die能向外连接到存储控制器，其余管芯则通过内部TSV实现互连。