英特尔发布全新傲腾持久内存200系列，进一步加速AI与数据分析 原创

英特尔公司今日正式发布第三代英特尔至强可扩展处理器及全新的AI软硬件产品组合，全新处理器、内存、存储、FPGA解决方案集体亮相。

作为第三代至强可扩展平台的一部分，英特尔发布了全新英特尔傲腾持久内存200系列，和新一代高容量英特尔3D NAND固态盘：英特尔SSD D7-P5500 和P5600。

英特尔公司副总裁兼至强处理器与存储事业部总经理Lisa Spelman介绍第二代傲腾持久内存200系列，全新的散热技术、超高的数据访问速度以及超大的内存总容量和带宽。

英特尔傲腾PMem 200系列是针对第三代英特尔至强可扩展处理器进行了优化的第二代高性能持久内存，英特尔 Optane PMem 200系列平均提供比上一代产品多25％的内存带宽、12-15瓦的低功耗设计（TDP），提供128 GB，256 GB和512 GB模块，最大容量为512 GB。

英特尔傲腾持久内存200系列能够与传统DDR4 DIMM共存，与DRAM并排占用相同的主板插槽。 针对这些下一代处理器进行了优化的平台可以每个通道支持一个Intel®Optane™PMem 200系列模块（单个插槽最多支持六个），每个插槽提供高达3 TB的PMem，每个插槽提供4.5 TB的总存储容量。

英特尔傲腾持久内存200系列与为工作负载（例如数据库，分析和虚拟化基础架构）软件生态系统兼容。

针对使用全闪阵列存储数据的系统，英特尔发布了新一代高容量英特尔3D NAND固态盘：英特尔SSD D7-P5500 和P5600。这些3D NAND固态盘采用了英特尔最新的TLC 3D NAND技术以及全新低延迟PCIe控制器，能够满足AI及分析工作负载的密集IO需求，并具有提高IT效率和数据安全性的高级功能。

英特尔SSD D7-P5500 和P5600采用最新的 TLC 英特尔® 3D NAND 技术构建的下一代高容量固态盘。支持 PCIE Gen4 的新主控和固件使其具有低延迟和可扩展的特性。与上一代英特尔® 固态盘相比，连续性能提高了 2 倍，随机混合工作负载性能提高了 44%。满足人工智能和分析工作负载的高强度 I/O 要求。先进的功能可提高 IT 效率和数据安全性。

英特尔公司副总裁兼至强处理器与存储事业部总经理Lisa Spelman表示：“快速部署AI和数据分析对当今各类企业至关重要。英特尔一直致力于不断强化处理器的内置AI加速能力和软件优化优势，以更好地为全球的数据中心和边缘解决方案提供动能，并通过打造无与伦比的芯片基石，助力释放数据中的无限洞察。”