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三星海力士资金充裕 巨额加码存储器

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SK海力士将在锡启动第二工厂建设,二期投资36亿美元,预估应该会做Flash;三星电子于2017~2018年,将大举追加投资西安3D NAND Flash厂,业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元),以迎接存储器市场史上最大需求热潮。

来源:ZD至顶网存储频道 2017年2月10日

关键字:三星 存储器 3D NAND

SK海力士将在锡启动第二工厂建设,二期投资36亿美元,预估应该会做Flash;三星电子于2017~2018年,将大举追加投资西安3D NAND Flash厂,业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元),以迎接存储器市场史上最大需求热潮。

节制紫光目的明显

明眼人都能看出来这是在针对中国半导体,意在制衡紫光长江存储的建设发展。两大国际顶级巨头,同时针对紫光,肯定有备而来。实际上巨头巨额投入,资源、人才、客户的争抢必然走入死胡同,低价竞争必然不可取,不知道紫光如何应对?

紫光现在手握大量现金,却一直苦于没有好的项目,去年底强势并购中芯,中芯董事长周子学以紫光旗下 IC 设计公司展讯、紫光国芯为由,指出其将与中芯、高通等客户产生利益冲突,力保中芯的独立性,才止住紫光并中芯的计划。

三星海力士资金充裕

因为DRAM价格因供给短缺而以高角度上扬之赐,韩国两大存储器厂三星与SK海力士,今年半导体营业利润年增五成,来到史无前例的25兆韩圜。

存储器市况从去年一路走高,2017年供给有限,而需求增加的状况下,存储器今年有望延续涨势。近期DRAM涨势主要由三星主导,且涨势仍未停歇,首季标准型DRAM涨幅逾三成,移动DRAM约15~20%,服务器用DRAM涨幅在25~30%。三大应用领域同飙,让主要供应商三星、SK海力士、美光去年营运翻身,股价也大爆发,尤其美光股价大涨1.3倍,格外受到瞩目。

未来竞争,紫光势弱

紫光武汉厂动工的节点,三星、海力士同时加码存储器。争抢未来市场的动机明显,武汉新芯(长江存储)未来竞争将会难上加难,技术、市场、人才可谓没可能与两大巨头抗衡,依靠资金换未来的方法也不知道能否成功。当然,我们是希望能成功。

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