西部数据表示：电阻式内存技术并非徒劳一场

SanDisk公司的ReRAM成为西部数据手中强有力的XPoint竞争牌。

在完成对SanDisk公司的收购之后，西部数据正积极利用ReRAM——即电阻式RAM技术——对英特尔与美光打造的XPoint发起冲击。

去年10月，SanDisk方面曾经与惠普企业业务公司联手对抗XPoint。双方签订了合作协议以开发存储级内存（简称SCM），即一款拥有DRAM级访问速度的非易失性存储介质。这意味着其数据访问速度要远高于NAND。双方当时曾经表示，其SCM技术“预计能够在速度上达到闪存存储方案的1000倍，使用寿命亦可达闪存存储方案的1000倍。”

惠普方面随后拿出了自己的忆阻器技术，而SanDisk则打造出ReRAM技术。在西部数据收购SanDisk之后，我们一直在等待着ReRAM能否仍然成为反XPoint的有力武器。另外，追溯至2014年，西部数据所收购的HGST也曾经展示过其读取延迟仅为1.5微秒的相变式内存（简称PCM）设备。这应该也是一款有潜力对抗XPoint的解决方案。

在上周的闪存记忆体峰会期间，西部数据企业内存技术部门执行副总裁Siva Sivaram透露称，西部数据方面将专注于利用3D ReRAM技术对抗XPoint。ReRAM在弥合DRAM与NAND之间的性能与成本鸿沟方面，优势要较PCM更加明显。

Anandtech网站转载了Sivaram使用的演示文稿，感兴趣的朋友可以直接点击查看。SCM今年将以高速存储方案的姿态出现，并将在2017年作为DRAM扩展方案，而2018到2019年间的发展目标是逐步取代DRAM，最终于2020年成为通用型内存存储介质。

对于Sivaram而言，如今的存储级内存的价格/性能定位处于NAND与DRAM之间，其中NAND的访问速度约在10万到25万纳秒，而DRAM则为50到100纳秒。另外，DRAM的每GB使用成本要比NAND高出20倍。他表示SCM的访问延迟水平在250到5000纳秒之间，并指出其使用成本为NAND的四到五倍。

西部数据ReRAM技术延迟水平示意图

Sivaram还公布了ReRAM-DRAM成本关系预期发展图，并通过一份演示文稿指出DRAM目前的成本为ReRAM的两倍，而到2023年这一成本对比关系将达到二十倍，这主要是受到ReRAM技术改进与量产化的推动。他同时表示，西部数据的ReRAM将采取分层架构，类似于3D NAND以及XPoint。

SanDisk方面曾于2013年致力于开发一款双层、32 Gbit、24纳米交叉点ReRAM晶片，其中交叉点一词是指该晶片的架构设计思路。很明显，其与同样使用交叉点架构但制造材料完全不同的英特尔/美光XPoint方案有所区别，后者也并没有使用电阻式RAM技术。事实上，XPoint使用的是硫系晶体的批量变化机制，类似于PCM的设计方向。不过英特尔与美光双方曾再三强调，其XPoint并不属于PCM技术。

他同时表示，考虑到ReRAM的延迟水平、使用寿命、成本、3D可扩展性、规模化与容量效率外加生态系统支持，西部数据选择了它作为SCM实现方案。其可部署在机架规模的服务器节点设计体系当中，并借此访问共享式与池化SCM，并利用CPU、存储在各类计算设备甚至是智能手机当中构建组合式基础设施——西部数据想得确实够远。

我们目前还不太清楚ReRAM技术在IOPS与数据吞吐能力方面的具体性能参数，也不了解其设备规格及发展路线图; 该项技术距离实际生产还有很长的道路要走。西部数据公司将把自身3D NAND制造技术引入ReRAM芯片生产，且ReRAM晶片将拥有多层交叉点存储单元。

西部数据可能利用SCM控制器与SCM介质实现实际部署。

那么我们何时才能迎来实际产品？也许要到2017年的闪存记忆体峰会。当然，具体时间点甚至有可能更加靠后。