Intel在过度炒作闪存杀手XPoint？可能真是！

此项存储技术的真实性能根本无法与市场宣传保持一致。

XPoint可能就是这样一只“炒出来的”蛋。

当初刚刚公布之时，英特尔公司表示XPoint的速度与使用寿命分别可达到闪存方案的一千倍——然而实际情况是，其速度仅为闪存的十倍，而使用寿命则为2.5倍。

这一点已经在美光公司于本周圣克拉拉市场召开的闪存记忆体峰会上公布的QuantX品牌XPoint内存技术方案身上得到了证实。峰会参与者们亲眼目睹了这款包含四套双芯片XPoint封装的128 GB原型QuantX系统，这意味着其每套封装中包含两块16 GB晶片。

相较于过分乐观的“速度可达NAND的一千倍”的说法，美光公司给出的IOPS与延迟水平改进只相当于NAND的十倍，而内存容量则相当于每CPU DRAM的四倍——这样的结果无疑给当初自嗨翻天的英特尔一记响亮的耳光。

现在的结果显然更为现实。根据美光公司的博文所指出：

其能够提供内存化PCIe SSD性能——其常规读取延迟低于10纳秒，而保证“五个九”质量水平情况下的延迟亦始终低于25纳秒。这一水平较最出色的NAND闪存型SSD亦高出10倍以上！

我们认为优于NAND十倍的效果表现并不值得这样大书特书，或者将其归类为“内存化”——至少与之前披露的1000倍言论相比是如此。

根据我们的理解，美光公司可能会强调XPoint的原始单元性能可以达到NAND原始单元性能的1000倍，但在将全部SSD组件纳入考量之后——包括控制器、固件与接口——其速度会大打折扣。

那么美光公司是如何设定QuantX延迟水平的？

• 写入延迟低于20纳秒（NVMe SSD则低于200纳秒）。
• 读取延迟低于10纳秒（NVMe SSD则低于100纳秒）。
• 容量在200 GB到1.6 TB间的U.2 Xpoint SSD能够提供90万IOPS，而1.6 TB NVMe SSD则能够提供20万IOPS。
• 一块容量在900 GB到1.6 TB，且采用半高半长PCIe 3.0 x8卡的SSD则能够提供180万IOPS，远高于1.6 TB NVMe SSD的20万IOPS。

此IOPS测试采用4 KB数据块，其中随机读取操作占70%，而写入操作则占30%。另外，测试采用U.2 QuantX NVMe SSD，队列深度为每PCIe x4链路四到六条，这是NAND NVMe SSD所无法实现的。在PCIe卡上，其队列深度则能够达到8到12条，具体取决于QuantX SSD的实际容量。一块200 GB QuantX SSD在该链路中的饱和队列深度可达16条。

美光公司亦提供了使用寿命数据：QuantX SSD将能够在五年周期之内支持每天25次全盘写入（DWPD）。那么NAND SSD在这方面的表现又如何？

• 三星SM1715: 10 DWPD，周期为十年。
• 东芝PX04P: 10 DWPD，周期为五年。
• 英特尔DC P3700: 17 DWPD，周期为五年。

看起来QuantX XPoint的使用寿命只达到了其它普通NAND SSD的2.5倍，而非1000倍（这意味着其应在五年周期为实现10000 DWPD）。英特尔公司的营销部门再次失信于民。

根据我们掌握的情况，QuantX DIMM中存储的数据会经过加密。另外，用户还需要对操作系统与应用程序代码进行变更以充分发挥XPoint作为系统内存而非存储机制所带来的优势。由Diablo与Netlist公司推出的NVDIMM-P产品在这方面应该会有所助益，即帮助各潜在XPoint内存生态系统合作伙伴完成相关变更。

产品价格

QuantX产品的使用成本约为同等容量闪存产品的四到五倍，但只相当于DRAM成本的一半。我们认为XPoint会被作为大容量存储级内存与DRAM相配合，从而将更为庞大的工作集纳入内存当中，最终实现更理想的应用程序运行速度。

预计相关产品的存储容量在200 GB到1.6 TB区间，且主要面向数据中心与企业场景。我们预计美光公司还会尝试将其引入服务器以及OEM厂商的存储系统，不过各阵列供应商需要在各服务器主机之间采用NVMe over Fabrics链路才能发挥XPoint SSD的性能优势。

另外，首款QuantX产品将于2017年季度推出。我们猜测各大服务器供应商，包括思科、戴尔、富士通、HDS、惠普企业业务公司、华为、浪潮、Supermicro等等，都将对其进行测试。我们同时认为，各大NVMe over Fabrics级阵列供应商，包括Apeiron、戴尔/EMC DSSD、E8、Excelero、Mangstor以及Pavilion Data Systems，也都会立足于自身方案对其加以尝试。

评论意见

现在最大的问题在于：XPoint是否能够提供充分的NAND性能比较优势，从而让客户们认同其高达四到五倍的溢价水平？

另一些技术方案同样能够弥合DRAM与NAND之间的性价比鸿沟。NVDIMM-P类型的闪存DIMM就是其中的典型代表。另外，Everspin的MRAM DIMM同样相当具有竞争力。当然，还得算上三星刚刚公布的Z-SSD。

XPoint技术目前的竞争定位已经确定，其拥有较闪存更高的使用寿命水平，但性能却远远不及我们的预期。有鉴于此，英特尔与美光当初为XPoint制定的宏观发展目标很可能就此落空。