球状焊接芯片帮助东芝将SSD产品存储容量提升一倍

东芝公司已经发布了其体积更为小巧但容量更高的平板设备专用SSD,而其终极轻薄的效果源自TLC 3D NAND与BG1 SSD卡产品线的结合——存储容量亦借此实现倍增。

 

球状焊接芯片正式入驻固态驱动器产品线。

球状焊接芯片帮助东芝将SSD产品存储容量提升一倍

EverSpin的MRAM芯片BGA焊球细节

东芝公司已经发布了其体积更为小巧但容量更高的平板设备专用SSD,而其终极轻薄的效果源自TLC 3D NAND与BG1 SSD卡产品线的结合——存储容量亦借此实现倍增。

BG1 SSD最初诞生于2015年8月,为一款容量256 GB的NVMe M.2产品。此产品配备边缘连接器并可接入插槽当中。

这款芯片本身以焊接方式固定至M.2卡之上,且采用一套球栅阵列(简称BGA)。这种球形焊接直接深入表面之下,可用于将芯片连接器同母卡直接相连。

这种新的连接方式能够替代过去的针脚设计——而且与BGA相比,针脚固定方式存在着易弯曲变形及电感较高的等缺点。

东芝公司于2015年1月公布了其首款NVMe BG系列芯片,其采用19纳米东芝MLC(二层单元)闪存并提供128 GB与256 GB两种容量选项。另外,其还提供芯片内置控制器与NVMe驱动的PCIe 3.0接口。这套BGA封装方案被用于M.2 BG1 SSD,体积为16毫米x 20毫米,与最新BG产品保持一致。

根据我们得到的消息,其表面积较东芝的2.5英寸SATA存储设备降低了95%,相较于M.2 Type 22806封装亦缩小82%。

球状焊接芯片帮助东芝将SSD产品存储容量提升一倍

左侧为东芝BG1的小型边缘连接器卡。

而随着TLC(即三层单元)3D NAND与东芝BiCS技术的配合,BG芯片的容量将提升至512 GB。我们假定其采用48层BiCS。目前尚不清楚具体性能——包括IOPS或者传输带宽——或者使用寿命信息,不过可能已经有部分OEM合作方拿到了这部分数据。

新一代产品提供128 GB、256 GB与512 GB容量选项,且通过16毫米x 20毫米封装(M.2 Type 1620)或者可移动(插槽)M.2 Type 2230模块交付。

这款设备采用PCIe第三代x2接口,同时可实现NVMe标准主机内存缓冲(简称HMB)功能。其可分配并利用主机DRAM进行闪存管理,而不再依赖于内置DRAM。对主机内存中的数据进行查询能够显著降低常规数据的访问延迟。

球状焊接芯片帮助东芝将SSD产品存储容量提升一倍

MRAM芯片开始利用球状焊点网格实现对接

BG 3D NAND SSD将受众指向平板设备以及轻薄型与便携式二合一笔记本产品OEM厂商。

目前相关样品已经开始向PC OEM客户定量提供,预计批量供应将于2016年第四季度实现。参与本届8月8号到11号于加利福尼亚州圣克拉拉市召开的2016年闪存记忆体峰会的朋友将能够了解更多来自东芝方面的新消息。

来源:ZDNet存储频道(编译)

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2016

08/05

13:03

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