好事成三：美光公司发布首款3D三层单元SSD

美光公司已经公布了其首款3D NAND SSD，分为三层单元（简称TLC）1100与2200两个型号。

作为闪存代工合作伙伴，英特尔方面此前已经于3月发布了自家3D MLC（即二层单元）SSD产品，分为DC P3320与P3520两个型号，最高容量为2 TB。不过与英特尔方面所采用的NVMe接口不同，美光的1100采用的是速度更慢的每秒6 Gbit SATA接口。

2200型号则为PCIe NVMe设备，其性能水平高于1100。

1100型号是一款每秒6 Gbit SATA产品，2.5英寸及M.2 SATA配合可提供256 GB、512 GB、1024 GB与2048 GB（只限2.5英寸版本）等容量选项。其具体制程工艺并未公布，不过我们认为其采用的应该是32层TLC NAND与384 Gb晶粒。

下面来看1100的具体参数：

• 4K随机读取IOPS为92000

• 4K随机写入IOPS为83000

• 连续读取带宽为每秒530 MB

• 连续写入带宽为每秒500 MB

• 延迟--读取/写入延迟分别为85纳秒/40纳秒

• 使用寿命--120 TB写入总量--256 GB为240 TB写入总量；512 GB为400 TB写入总量（相当于每天写入224 GB，总使用周期为5年）

M.2外形设计的美光1100 3D NAND SSD

目前英特尔旗下只有一款3D SSD可用于同美光新产品进行性能比较，即P3320：

• 4K随机读取IOPS为36万5千

• 4K随机写入IOPS为22000

• 连续读取每秒1600 MB

• 连续写入每秒1400 MB

除了随机写入性能之外，其它参数全部碾压1100。

另外我们不妨将1100与容量在128 GB到1 TB之间的SATA美光M600进行比较，后者于2014年9月发布，采用16纳米制程MLC闪存与128 Gb晶粒：

• 4K随机读取IOPS为10万

• 4K随机写入IOPS为88000

• 连续读取每秒560 MB

• 连续写入每秒510 MB

• 使用寿命--100 TB总写入量--128 GB为2000 TB；256 GB为300 TB；512 GB为400 TB

众所周知，TLC在使用寿命上天然落后于MLC NAND，性能表现也不及后者。不过美光在1100当中带来了令人满意的效果，其性能较M600并不相差太多，当然差距仍然存在。

1100产品具备美光方面所谓DEVSLP技术，这是一款超低功耗产品，其中256 GB与512 GB产品在DEVSLP模式下只需不足2毫瓦功率即可运行。1 TB产品需要4毫瓦，而2 TB产品需要25毫瓦。

与M600一样，1100亦拥有动态写入加速机制。其不可校正误码率（简称UBER）在每1015 bits读取中低于1扇区。该产品还提供加密与安全擦除功能。另外，其拥有150万小时平均故障间隔（简称MTBF）保证。

美光2200 PCIe NVMe闪存驱动器

2200的具体信息目前尚不明确，当下我们仅知道其属于3D NAND SSD产品。这是一款客户设备SSD，M.2外形尺寸下的最高容量为1 TB。根据我们掌握的情况，其传输带宽可达SATA SSD产品的四倍，且延迟水平更低。但这显然是废话--采用NVMe接口的闪存驱动器向来在速度上更为出色。

美光公司于今年4月发布了7100与9100平面MLC NVMe驱动器，因此2200应该能够继承其在NVMe接口方面的使用经验。

事实上，2200的性能应当会大幅超越1100，即可以与P3320相比肩--虽然可能仍然比不上3D MLC设备；其速度应该低于72100与9100产品。着眼于英特尔与美光的3D NAND SSD，可以看出两家企业似乎针对的是不同的细分市场。

目前2200的参数表尚未公布，而且两款产品的具体售价也都存疑。预计1100与2200即将于今年第三季度推出，前者的上市时间应该略早。