英特尔与美光之XPoint：其是否属于相变记忆体？

3D XPoint内存是否属于相变记忆体（简称PCM）技术？

在IMTF联合主席Guy Blalock对XPoint所使用硫化物材质的说明之后，我们越来越相信其应该就是一类相变记忆体成果--就此，我们通过邮件向英特尔及美光双方进行了求证：

"根据我的理解，相变记忆体是一种非易失性硫化材质，其能够在施以特定电压下实现状态切换（在结晶态与非结晶态间转换），从而改变其电阻值水平。而这种阻值改变则可用于表示二进制当中的1或者0。"

"此前英特尔与美光双方发言人一再强调XPoint并不属于相变记忆体技术，同时申请这种非易失性材质会由于内部结构的批量变化发生电阴改变。"

"现在Guy Blalock指出其采用硫化物材质。在这种情况下，如果它走路像鸭子、叫声像鸭子、游泳像鸭子，那它应该就是只鸭子--同理可知，3D XPoint内存采用的是相变型硫化物材质。"

"如果美光能够证实这一点，或者解释XPoint如何且为什么是一种具备非易失性、基于硫化物且显示出批量变化特性以实现电阻值切换，但却不属于相变记忆体的技术方案，我们将非常感激。"

作为回应，美光公司的一位发言人表示："3D XPoint技术是一种由英特尔及美光开发出的新型非易失性记忆体方案，其依靠批量材质转变实现电阻特性变化。与相变记忆体不同，3D XPoint技术采用独特的交叉点架构，这就使其拥有了其它相变记忆体一直无法实现的规模扩展方式。"

我们甚至掏出了一块放大镜，但还是没法从以上回复中看出个所以然来。

• 3D XPoint技术是一种新型非易失性记忆体方案

• 由英特尔与美光开发而成

• 其依靠批量材质转变实现电阻特性变化

• 与相变记忆体不同，3D XPoint技术采用独特的交叉点架构

• 这就使其拥有了其它相变记忆体一直无法实现的规模扩展方式。

前三条已经被反复提及，这里我们就不再分析了。

接下来两条指出，3D XPoint采用一套交叉点架构，从而能其它相变记忆体所不能而实现其独特规模方式。

语句当中并没有提到XPoint到底是不是相变记忆体，而只是说明其属于采用交叉点架构的非易失性记忆体。

这位美光公司发言人也没有解释"XPoint如何且为什么是一种具备非易失性、基于硫化物且显示出批量变化特性以实现电阻值切换，但却不属于相变记忆体的技术方案。"

另外，这位代言人以间接方式给出了说明，表示现有相变记忆体技术与3D XPoint之间的惟一区别就是后者采用交叉点架构。

作为这一观点的另一种间接支持证据，这位发言人并没有表示："3D XPoint并不属于相变记忆体。"

因此我们的结论是，3D XPoint确实采用了相变记忆体技术--当然，也可能是我们弄错了。