内存发展迎来新高峰:三星推出有史以来速度最快之内存方案

三星公司表示,其已经开始打造新的、速度更快的DRAM解决方案。HBM2接口意味着大家能够通过4 GB内存条以256 GBps速率进行数据交互。

HBM2接口意味着大家能够通过4 GB内存条以256 GBps速率进行数据交互。

 内存发展迎来新高峰:三星推出有史以来速度最快之内存方案

三星公司表示,其已经开始打造新的、速度更快的DRAM解决方案。

韩国技术巨头宣称,其热火朝天生产当中的流水线正努力制造高带宽内存(简称HBM2)DRAM产品。

HBM2于本月12号仅仅发布了一项标准,其时电子行业标准组织JEDEC(建立起名为联合电子设备工程委员会,但如今已经被更名为固态技术协会)随之发布了一项针对HBM规范的内容更新。

HBM2当中的关键性亮点在于其1024位宽设备接口,且基于每套DRAM堆栈之上分为八条独立通道。

JEDEC方面指出,其另外还拥有“一套新的伪通道架构,旨在改进带宽传输效率并实现测试功能的声明与强化”,同时“提供另一项新型功能,负责在DRAM温度超过可靠运作状态下的可接受范围时向控制器发出警告,从而采取适当步骤让系统恢复正常运作状态。”

三星公司表示,其DDR4 HBM2 DRAM“在堆栈构建当中以一块缓冲晶片为基板,其上排布有四块8-gigabit核心晶片。这些晶片而后通过硅通孔(简称TSV)与微凸设计实现彼此通信。”

硅通孔是一项芯片堆叠实现技术,其以垂直方式实现芯片之内不同层间的相互连通,目的在于提供远超过线路连接机制的内部信号传输速度。其通常被作为“3D记忆体”方案中的固有组成部分,因为其允许RAM进行堆叠而非相互分散。

硅通孔数量的增加能够提升速度表现并提升资源密度。或者援引三星公司的原话:“一块单8 Gb HBM2晶片能够容纳超过5000个硅通孔,这一数量达到8 Gb硅通孔DDR4晶片的36倍以上,相较于传统线路打包方案能够显著提升数据传输性能。”

让我们长话短说——这是最新且最为强大的一代DRAM,其能够提供两倍于HBM1内存的传输带宽,甚至令GDDR5那可怜的36 GBps传输速度水平看起来就像是恐龙时代的遗留产物。

如果大家希望运行高性能计算机或者图像密集型应用程序,那么这正是最理想的解决方案,其也将彻底颠覆原先那种利用较高价格来购买产量较低的性能指向型产品的市场习惯。另外,这也给显卡厂商们带来了福音,意味着他们已经不必再单纯依靠为产品配备极为夸张的显存容量来提升设备性能。

三星公司并没有提到这套4 GB解决方案何时才会正式投放市场,不过表示今年年内将有8 GB版本HBM2与广大用户见面。

来源:ZDNet存储频道(编译)

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2016

01/21

09:44

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