HGST称NVMe闪存卡将实现75万IOPS

随机读取IOPS高达七十五万——这样的性能水平是否能吸引到大家的关注？HGST公司最近刚刚推出了其NVMeUltrastar SN100 PCI闪存卡，这款产品最初于七个月前得到正式公开。

其速度与传输能力都拥有令人印象深刻的表现，HGST公司则表示该产品是“业界性能最高的NVMe兼容式SSD系列方案。”其具体规格包括：

• 采用MLC闪存（我们认为很可能由东芝公司提供）的HH-HL PCIe第三代四通道产品提供1.6TB及3.2TB容量。
• 配备PCIe接口的2.5英寸可热插拔SSD产品容量分别为800GB、1.6TB以及3.2TB。
• 4K随机读取IOPS最高可达74万3千。
• 4K随机写入IOPS最高可达16万。
• 连续读取带宽最高可达3GB每秒。
• Up连续写入带宽最高可达1.6GB每秒。
• 延迟为20微秒。
• 提供五年质保服务。
• 耐久性为每天三次全盘写入。

这台设备提供31万混合型读取/写入（二者比例为七比三）IOPS。HGST公司还拥有自己的Flash Software Suite以及Device Manager软件，能够配合SN100产品为服务器端闪存配置方案提供集群化、可扩展能力、高可用性以及可管理能力。

HGST SN100系列产品

标题所指的是SN100的随机读取IOPS表现。相比之下，EMC的VFCache能够提供71万5千IOPS，因此SN100仍然在速度方面更胜一筹。SanDisk的ioDrive 2 Duo在这方面的成绩为70万，亦需臣服于HGST面前。美光的P420m与三星的3D V-NAND SM1715在4K随机读取情况下皆能提供75万IOPS，而且后者还拥有更为出色的耐久性水平——在为期五年的质保周期内，其每天可进行十次全盘写入操作。从这方面看，二者都比Ultrastar SN100略胜一筹。

NVMe型号的出现意味着，用户完全可以在SN100之上使用标准驱动器代码、而不再单纯依赖于PCIe驱动器。

HGST公司的NVMePCIe卡产品（即SN150）目前已经正式投放市场，而2.5英寸SSD（即SN100）将于今年五月与广大用户见面。