三星推3D V-NAND技术的850EVO固态硬盘

作为首个使用3D V-NAND技术的固态硬盘品牌，三星的不断创新永远都不会让我们失望，从2D闪存技术，到目前的3DV-NAND技术，三星SSD产品完成了一次华丽的升级，同时也开创了闪存技术的革命性变革。近日，三星又全新推出了三星850EVO系列产品。

3D V-NAND全面应用 新品亮点多

三星独特创新的3D V-NAND闪存结构，突破了目前传统平面NAND结构面临的密度限制、性能与耐用性问题。3D V-NAND闪存由32个单元层垂直堆叠而成以适应水平空间，并没有减少单元层尺寸，而且由于采用了更小的碳足迹，此结构密度更高，性能更卓越。

该 技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。这样的设计，我们可以通俗的理解成，在单位空间内，晶体管 的容量是以立体形式堆叠出现的，就好比在一块土地上盖房子，如果是采用平房结构，那么就会降低土地的利用率，要是采用楼房的形式，就会大大提升单位面积的 利用率。除此以外，相比上一代的840EVO产品，全新的850EVO拥有傲人的540MB/s的读取速度以及520MB/s的写入速度。

从120GB到1T 给你更多选择

全 新推出的三星850EVO系列固态硬盘，在外包装计上采用了全白色包装，另外，850 EVO仍是传统的SATA 6Gbps 、2.5寸盘规格，6.8毫米超薄设计；容量方面，三星850EVO可谓全面，容量分别为120GB、250GB、500GB以及1TB，所搭配的缓存分 别从256MB到1GB，850 EVO符合先进的安全管理标准（TCG Opal和IEEE1667）。

高速读写5年质保 提供全面保障

除 了拥有全新的技术，高速读写，更是850EVO的最大优势，由于采用了三星前沿技术——3D V-NAND技术，850 EVO拥有卓越的连续与随机读写性能，可优化日常计算。TurboWrite技术大幅度提升了850 EVO性能，不仅用户体验优于840 EVO 10%，120/250GB型号的随机读写速度更比840 EVO快1.9倍。实际上，850 EVO各容量连续读取（540MB/s）与写入（520MB/s）性能均达到顶级水平。所有QD随机读写性能均得到优化，PC客户端使用时，QD1和 QD2随机性能也得到大幅度提升。

另外，全新的850EVO的质保时间相比上一代也延长了近一倍，由原来的3年质保，提升到了5年质保，这也显示出了三星850EVO对产品充满了信心。

通过上面的介绍，相信大家对全兴的三星850EVO系列固态硬盘产，已经有了初步的了解；相信加入三星独有的3D V-NAND技术的全新850EVO固态硬盘产品一定会给新老用户带来更大的惊喜以及提供更加全面的使用感受。