3D NAND闪存，芸芸众生的救世主

如下图所见，我们已经拿到了各大3D NAND闪存芯片供应商的产品时间表，这里要感谢金融分析师Aaron Rakers的大力协助。这四家代工业务经营企业都将在未来十八个月内将高容量闪存芯片纳入批量生产计划当中。

3D NAND是我们解决NAND存储容量提升难题的灵丹妙药。很明显，通过缩小存储单元尺寸实现NAND芯片容量增长的传统方式已经走进了死胡同，因为进一步缩小单元尺寸会显著影响到产品可靠性并极大降低其使用寿命。

而通过将单元尺寸缩减与单元层堆栈机制相结合，各大制造商找到了一条无需增加单元占用空间又能成功实现容量提升的新路。

三星公司在这方面可谓一马当先，目前已经将闪存芯片容量提升至1TB水平。

尼古拉斯公司分析业务常务董事Aaron Rakers已经根据四家代工经营企业的时间表制作出下面这份比照图表：

代工经营企业3D NAND生产时间表

三星公司于去年八月首次公布将批量生产其24层3D V-NAND芯片，而昨天其32层、TLC（三层单元）850 EVO V-NAND SSD产品也正式亮相。

Rakers指出：

• 三星的850 PRO/EVO SSD拥有良好的性能表现与耐用性，但谈不上什么成本优势。
• 英特尔表示其（以及美光）3D NAND将在2015年下半年以业界首款极具成本颠覆能力的3D方案姿态面世。
• SanDisk公司将在2015年下半年推出其3D NAND，而且价格将低于其现有闪存技术。

我们认为3D NAND能够将SSD产品的存储容量提高一倍，同时/或者较现有2D或平面NAND带来更低的每GB使用成本。

这意味着PCIe闪存卡将很可能突破12TB容量大关、甚至冲向更理想的高度。SanDisk公司的SX300-6400拥有6.4TB额定存储容量。如果其中的SSD容量翻倍，则意味着总存储空间将达到12.8TB——而TLC介入又能进一步将容量提升50%，也就是达到19.2TB。

服务器闪存DIMM也将因此受益，其中目前拥有400GB容量的方案则提升至800GB，并在TLC的进一步加持下达到1.2TB水平。

由此带来的直接结果在于，服务器闪存容量及全闪存阵列容量应该会在2016年迎来一次大飞跃。主动归档闪存阵列产品门类则有可能——事实上，应该会——实现更为低廉的每GB存储容量使用成本，这将使其在采购与OPEX（即功耗）领域迎来较磁盘及磁带归档方案更具优势的吸引力。