三星向PCIe服务器闪存市场发起挑战

时至今日，客户对于服务器应用程序的速度需求愈发严苛，而为其提供数据传输保障的闪存卡产品也因此如日中天。在这样的背景之下，三星公司公布了其量产型3.2TB NVMePCIe SSD产品，并在其中使用了3D V-NAND技术。根据该公司的说法，未来还将有存储容量更高的设备相继面世。

这款SM1715产品将上一代NVMe SSD XS1715的1.6TB最大存储容量提升了一倍——究其原因后者采用的是标准2D平面NAND闪存芯片。

上代产品能够提供高达74万4K数据块IOPS并具备每秒3GB读取传输带宽。在此基础上，SM1715拥有高达75万/13万随机读取/写入IOPS（数据块大小尚不明确，但这里假定其为4K）并提供3GB每秒的读取传输带宽与2.2GB每秒的写入传输带宽。三星此后将陆续发布更多与该产品相关的细节信息。

其使用寿命是在每天进行十次全盘写入的情况下正常运行五年，这款半高度、半长度闪存卡主要适用于高端企业级服务器等主机设备。

三星SM1715 3D V-NAND NVMePCIe SSD 

那么与其它PCIe闪存卡相比，这款3D V-NAND产品到底拥有怎样的市场定位呢？

首先，它在存储容量方面还无法力压群雄。HGST的FlashMax II存储容量高达4.8TB，不过其性能表现却有所不及——随机读取/写入IOPS分别为26万9千与5万1千，每秒读取/写入传输能力则分别为2.6GB与0.9GB。HGST为其新一代FlashMax II带来更为出色的速度表现，随机读取IOPS可达到53万1千，但存储容量却相应下降至2.2TB。

SanDisk (Fusion-io)所打造的ioDrive 2 Duo拥有2.4TB存储容量，提供70万随机读取IOPS（512字节数据块）与每秒3GB连续读取与写入传输带宽。Atomic SX300的存储容量则为6.4TB，虽然21万5千与30万的随机读取/写入IOPS仍逊于三星新产品、但两项数据明显更为平均。

英特尔、美光、希捷以及东芝的PCIe SSD产品则一方面容量落后，另一方面在速度上也普遍不敌三星新品。要与这位来自韩国的电子巨头对抗，他们显然需要对自己的产品线进行一番更新。

根据我们的预期，这些存储产品供应商未来将陆续投身于NVMe这一强势阵营。

三星电子公司内存产品营销事务副总裁JeehoBaek在一份声明中指出：“三星计划在未来为基于V-NAND技术的SSD产品带来更出色的性能表现、存储密度与可靠性水平。”