阿里巴巴：5年前开始探索 闪存尚存5宗罪 数据中心正在贪婪地吸纳闪存存储机制，但这种一味求速、求量的引入方式似乎使其有些消化不良。本周在美国加州圣克拉拉举行的2014年Flash Memory Summit闪存峰会上，阿里巴巴云服务研发经理武鹏作出主题演讲，并就这一议题坦率陈述了自己的观点。阿里巴巴数据中心部门首席技术专武鹏主要选择了几大关键问题作为切入点，包括闪存供应商需要进一步降低每GB使用成本、控制功耗水平与延迟并增加产品可靠性等。大多数闪存产品都会提供多少多少小时的平时故障间隔时间以及为期数年的质量保障。 详细 »

三星：利用3-bit垂直NAND成功缩减编程时间 韩国闪存代工巨头三星已经在本届闪存记忆体峰会上宣布，将把3-bit（TLC）闪存引入其V-NAND产品线。该产品采用TLC NAND 32层设计，作为三层存储单元、TLC与当前企业级NAND产品中所使用的MLC或者称为每单元2 bit的二层单元设计完全不同。TLC NAND在数据访问速度上无法与MLC相媲美、使用寿命也有所妥协，其全盘写入次数只能达到几百次。也就是说，它需要与复杂的控制器技术相匹配才能获得理想的使用寿命。根据相关报道，三星宣称与普通平面TLC芯片相比，其TLC V-NAND能够将编程时间降低达50%、运转功耗也将缩减约四成。 详细 »

HGST研究院在闪存峰会上展示全球最快SSD HGST（昱科环球存储科技公司）今天预演了其全新的固态硬盘(SSD)架构，该架构能够让应用更快应对未来的数据密集型问题。此次演示结合使用了HGST全新的低时延接口协议和下一代非易失性存储组件，展示了前所未有的SSD性能水平。此次SSD演示使用了一个PCIe接口，在一个队列环境中实现了高达300万次的随机读取IOPS（512B），并在非队列环境中实现了1.5微秒的随机读取时延。上述性能是现有SSD架构和NAND闪存无法实现的，比现有基于闪存的SSD快几个数量级，从而催生出一个全新类别的块存储设备。 详细 »

Silicon Motion SSD控制器预计TLC闪存芯片将迎来增长 随着三级单元NAND普及程度的稳步提高，Silicon Motion公司正积极图谋利用其于本周闪存存储峰会上发布的最新SSD控制器进一步加快上述趋势。该公司表示，其商用SM2256每秒6Gbit SSD控制器支持1x/1y/1z TLC NAND，不仅是该类别中的首款产品、而且建立在其去年发布的初代SATA 3 SSD控制器的容量基础之上。 Silicon Motion公司美国SMI副总裁兼总经理Robert Fan表示，SM2256的设计目的在于利用其客户端设备为大量TLC NAND提供支持——其中包括3D NAND，并计划借此帮助OEM厂商获取包括固件在内的完整软件包。 详细 »

PMC推出IOPs超千万的闪存加速卡 将系统性能推向极致 引领大数据连接、传送以及存储，提供创新半导体及软件解决方案的PMC公司最新打造超高速存储级内存，加速横向扩展式存储及全闪存阵列中的关键性应用。PMC Flashtec NVRAM闪存加速卡结合了DRAM的高速和耐用与NAND闪存的持续性，实现的性能十倍于最快速的固态盘（SSD），提供的IOPS超过千万次每秒，延迟则低于微秒。Flashtec NVRAM闪存加速卡采用PCI Express (PCIe) 3.0接口，直接与主机相连，从而优化了CPU利用率，并将系统性能推向极致。详细 »