SK海力士 关键字列表
HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比

HBM(高带宽存储)是一种多层DRAM Die垂直堆叠的存储技术,通过TSV技术实现高带宽和小体积。

2023年NAND发展概况:层数增加,QLC改进

2023年NAND发展概况:层数增加,QLC改进

对于NAND闪存存储来说,2023年可谓过山车般跌宕起伏的一年。

DRAM,速度很快:SK海力士迈向HBM3E领域

DRAM,速度很快:SK海力士迈向HBM3E领域

在美光第二代HBM3芯片亮相一个月后, SK海力士正在对一款HBM3E芯片进行采样。

洛斯阿拉莫斯国家实验室与SK海力士合作开发计算存储SSD

洛斯阿拉莫斯国家实验室与SK海力士合作开发计算存储SSD

洛斯阿拉莫斯国家实验室与SK海力士将在下周的闪存峰会上展示合作开发的计算存储SSD,号称能通过对键值存储数据的索引将模拟分析速度提升三个数量级。

官宣:SK海力士收购英特尔NAND闪存业务,英特尔表示将更加关注差异化技术领域

官宣:SK海力士收购英特尔NAND闪存业务,英特尔表示将更加关注差异化技术领域

SK海力士和英特尔在韩国时间10月20日共同宣布签署收购协议,根据协议约定,SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。

砰!SK海力士向企业SSD市场投下72层3D NAND重磅炸弹

砰!SK海力士向企业SSD市场投下72层3D NAND重磅炸弹

韩国闪存制造商大举进军企业级SSD市场。